九、接触辊或张紧辊上磨屑积累。
解决办法:经常清理,的抽尘是的预防措施。
十、砂带张力不均衡,时大时小。
解决办法:检查空气压力系统,---恒压力供气。
十一、终止研磨后,未松开张紧辊。
解决办法:规范操作。
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数控自动拉丝机使用说明
一、工作前的准备:
1.地面以防作业者因意外而触电;
2.工作前请仔细阅读使用说明书;
3.确认所使用的电源、电压与说明是否相符,且电源应接
4.清理设备及周边的无关异物,预备工作空间;
5.检查砂带是否是工件加工要求的型号,更换好砂带.装好砂带运转2-3分钟如无异常方可开始工作。
二、操作说明:
1.开机前,根据所需加工的工件选好相应的夹具安装于工作台上,点动工作台前进,使工件位于砂带的下方,点动工作台上升,宝亿数控拉丝机,观察砂带与工件的间隙,使工件与砂带---接触为好;
2.装上工件,数控拉丝机厂家,启动砂带,分别点动工作台前进、工作台上升,对工件进行加工,然后退出工件,检查工件的加工品质,可再次调整工作台升降,数控拉丝机,再对工件进行加工,如此使工件达到理想效果,即可进行批量生产;
3.工作期间,如出现故障或出现任何异常噪音,应立即按下急停按钮,待检查、维修后方可继续工作;
4.工作结束后,关闭电源,清理机械,进口数控拉丝机,加注润滑油。
三、注意事项:
1.本设备需由人士或通过培训的专人操作;
2.在对工件调机时,动作又不宜太猛太大,以免造成不---的伤害;
3.对设备润滑部位需定时加注润滑油,开机前必须关好防护罩门;
4.正常工作中,如发现任何不正常的噪声或其它不正常的现象,应立即按下“急停”按钮,停机检查,排除异常后方能继续工作。
目前抛光机是一实现单晶硅片全局平面化的技术设备,采用该方法可使整个硅片获得超光滑和无损伤的表面。其中,抛光液的是影响cmp效果的一个关键因素。
目前,硅片cmp普遍使用粒径为50~70 nm的球形sio2为磨粒。作为一种抛光粉,纳米ceo2已广泛应用于---规模集成电路sio2介质层和隔离沟槽的化学机械抛光,具有高抛光效率和高表面等优点。有研究表明,将球型纳米ceo2用于单晶硅片的化学机械抛光时,其抛光效率比球形sio2高。
不过,平面抛光机纳米ceo2抛光硅片的研究还处在初始阶段,抛光液制备技术及相关抛光机理有待进一步完善。我国稀土资源居---,如能开发出适于硅片抛光的纳米ceo2抛光液,将会促进硅片超精密加工技术的发展,社会经济效益---。由此可见稀土抛光粉在单晶硅片的抛光过程中有着重要的作用,对单晶硅片的平面抛光机市场也有着相当大的影响。单晶硅片的平面抛光机技术在行业内的应用前景非常大,发展还有很大空间。
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